車規(guī)級IGBT模塊封裝技術(shù)壁壘：難點在于高可靠性
近幾年，隨著新能源汽車的快速發(fā)展，作為新能源汽車內(nèi)用控制器的主要成本構(gòu)成器件IGBT也迎來了爆發(fā)，預計到2025年，中國IGBT市場規(guī)模將達到522億元，年復合增長率近20%。然而，從設計及制造維度來看，縱觀全球車規(guī)級IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，目前差不多70%的市場份額都被歐、美，日等國刮分。國內(nèi)的IGBT設計及制造能力發(fā)展卻參差不齊，當然其中也不乏有跟得上腳步，不斷的進行技術(shù)創(chuàng)新，并從中獲得自身價值和自我突破的民族企業(yè)。
什么是車規(guī)級IGBT封裝？其定義是一種專門用于新能源汽車領(lǐng)域的電力電子器件。它是新能源汽車和傳統(tǒng)汽車中極為關(guān)鍵的元件之一，主要用它來調(diào)節(jié)輸出給電機的功率。由于汽車工作環(huán)境惡劣，并可能面臨強振動條件，對于車規(guī)級IGBT而言，在溫度沖擊、溫度循環(huán)、功率循環(huán)、耐溫性能等要求標準是遠高于工業(yè)級和消費級。
IGBT封裝從芯片來料到封裝完成主要經(jīng)過以下工藝：絲網(wǎng)印刷-自動貼片-真空回流焊接-超聲波清洗-缺陷檢測（X光）-自動引線鍵合-激光打標-殼體塑封-功率端子鍵合-殼體灌膠與固化-端子成形-功能測試，每一個工藝環(huán)節(jié)相較于其他的工藝技術(shù)，其技術(shù)難度系數(shù)都是相當高的。
汽車級IGBT模塊的使用時間要求需要達到15年。因此在封裝過程中，模塊對產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設計需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度等因素。封裝工藝控制還包括低空洞率焊接/燒結(jié)、高可靠互連、ESD防護、老化篩選等環(huán)節(jié)。除模塊技術(shù)之外，車載的電子元件故障也是常見的技術(shù)難題，研究發(fā)現(xiàn)，造成車載電子元件故障的原因有一部分是來自于“焊接缺陷”。常見的焊接缺陷如：空洞、枕頭缺陷、不潤濕開路、枝晶生長、開裂和翹曲等。
IGBT模塊封裝技術(shù)壁壘可能在于以下幾點：
1.良好的高低溫度循環(huán)沖擊可靠性，熔點在214-225°C，與SAC305熔點接近；
2.良好的剪切強度,粘接推力，其剪切力大于SAC305的推力；
3.空洞率極低，空洞率<10%；
4.良好的潤濕性能；
5.ＴＳ＠５００次循環(huán)后，焊點正常，未出現(xiàn)裂紋等。
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